半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森本 泰司; 石住 隆司 |
| 发表日期 | 2000-12-22 |
| 专利号 | JP3142634B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 レーザ光を放射する半導体レーザチップを支持体(パッケージ)に装着するために位置決めする。この位置決め工程の際、半導体レーザチップに通電することで発光させる。この発光点位置を計測してレーザチップの位置を検出し、予め調整する。半導体レーザチップの一光出射端面前方に出射光を集光して反射し、再び半導体レーザチップに戻し、このときの半導体レーザの電流、または光出力の変化を検出することで発光点位置を所定の位置へ移動させレーザ素子位置を調整する。 【効果】 半導体レーザ素子を発光させて発光点位置を検出しながらダイボンドのための位置決めを行うため、パッケージされた半導体レーザとして発光位置の精度が極めて高いものが得られる。 |
| 公开日期 | 2001-03-07 |
| 申请日期 | 1992-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71131]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 泰司,石住 隆司. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3142634B2. 2000-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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