量子井戸レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 充 |
| 发表日期 | 1993-08-13 |
| 专利号 | JP1993206575A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸レーザに関し、小さな歪み量の量子井戸でありながら、転位が発生する臨界近くまで歪み量を大きくした歪み量子井戸に比較し、遙に高い性能を引き出すことを可能にしようとする。
【構成】 重い正孔帯に比較して軽い正孔帯が高いエネルギを有し、且つ、軽い正孔帯端に於いて正孔が負の有効質量をもつように引っ張り歪みを導入した例えばInx Ga1-x As(0.45 |
| 公开日期 | 1993-08-13 |
| 申请日期 | 1992-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71136]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 充. 量子井戸レーザ. JP1993206575A. 1993-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。