半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗 |
| 发表日期 | 1994-03-18 |
| 专利号 | JP1994077584A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 熱特性が向上し、安定した波長の半導体レーザを提供する。 【構成】 この半導体レーザは、電極板101上に、レーザ共振器が設けられたチップ110をボンディングし、チップ110の基板側に放熱体としてヒートパスワイア103を設けたものである。電極板101には電極102a,b,c,dが形成され、電極102a,bは、チップ110のレーザ共振器と電気的に接続されている。ヒートパスワイア103は、チップ110の基板と接触しており、放熱体として良好に機能するものが用いられている。電極102c,dと電気的に接続され、電極102a,bと電極102c,dとの間に電流を流すことでチップ110のレーザ共振器からレーザ光が出力される。 |
| 公开日期 | 1994-03-18 |
| 申请日期 | 1992-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71141]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗. 半導体レーザとその製造方法. JP1994077584A. 1994-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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