半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 井上 泰明; 水口 公秀; 別所 靖之; 吉年 慶一; 山口 隆夫; 米山 裕文; 野一色 慶夫 |
| 发表日期 | 1994-03-18 |
| 专利号 | JP1994077604A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 放熱が十分行え、且つ機械的強度に優れるユニットタイプの半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 前端部に凹部6を持つと共に後端部に端子部4を持つ第1リード1と、この第1リード1の凹部6の底面上に載置された受光素子9と、その受光素子9上に載置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ素子14と、前記第1リード1と離間しかつ該第1リードの端子部と平行に配置された第2、第3リード7、8と、前記半導体レーザ素子14の出射面と前記凹部6下面を露出し且つ前記各リード1、7、8を挟持するように形成された絶縁枠50とを備えた構成とした。 |
| 公开日期 | 1994-03-18 |
| 申请日期 | 1992-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71143]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 泰明,水口 公秀,別所 靖之,等. 半導体レーザ装置. JP1994077604A. 1994-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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