半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松本 晃広; 竹岡 忠士; 佐々木 和明 |
| 发表日期 | 1994-03-25 |
| 专利号 | JP1994085386A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 戻り光量が増大してもそれによって誘起される雑音を抑制し、高出力動作下においても優れた信頼性を有する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 基板上に量子井戸層と、量子井戸層に隣接するバリア層とを有する活性層が設けられた半導体レーザ素子である。一対の光出射端面の一方の端面上には反射率が20%以上の絶縁膜が設けられ、他方の端面上には反射率が60%以上の絶縁膜が設けられている。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 晃広,竹岡 忠士,佐々木 和明. 半導体レーザ素子. JP1994085386A. 1994-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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