半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 浩; 小川 洋; 荒平 慎; 中島 徹人 |
| 发表日期 | 1994-03-29 |
| 专利号 | JP1994090061A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 InP/InGaAsPあるいはGaAs/AlGaAs等からなる良質な半導体発光素子用ダブルヘテロ構造を、Si等の格子定数の異なる異種半導体基板上に直接接着することにより、オプトエレクトロニクス集積回路に適した半導体発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 p型InP基板上にダブルヘテロ構造の結晶成長を行う工程と、この結晶成長された基板のn型InGaAs保護層のエッチング及び接着面の洗浄処理を行う工程と、前記p型InP基板とは格子定数の異なったn型Si基板の表面洗浄処理を行う工程と、前記p型InP基板の接着表面と前記n型Si基板の表面とを直接接着する工程と、熱処理を行う工程と、電流狭窄と光の閉じ込め機能を持つレーザ構造を形成する工程とを施す。 |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 申请日期 | 1992-09-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 浩,小川 洋,荒平 慎,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1994090061A. 1994-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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