光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪口 眞弓; 古山 英人; 高岡 圭児; 櫛部 光弘; 手塚 勉; 吉田 春彦 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097566A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】スループットの低下や反射鏡の特性低下を防止し得る光半導体素子を提供すること。 【構成】n型InP基板1上に形成されたInGaAsP活性層4と、このInGaAsP活性層4の上部に形成されたp型InP層7と空隙14との積層構造を有する半導体多層膜光反射器8と、InGaAsP活性層4の下部に形成された誘電体反射膜19とを備え、Δνs -Δνmax >Δνg を満す。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪口 眞弓,古山 英人,高岡 圭児,等. 光半導体素子及びその製造方法. JP1994097566A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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