半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 浅賀 達也 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125143A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】 活性層幅の中心線にワイヤのボンディング位置を一致させる。また複数のワイヤの場合は、中心線に対称にボンディングする。 【効果】 広い活性層幅の半導体レーザでも、平行横モードを安定できる。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71151]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅賀 達也. 半導体レーザ素子. JP1994125143A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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