半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 町田 豊稔 |
| 发表日期 | 1994-05-20 |
| 专利号 | JP1994140713A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸型の活性層を有する半導体レーザに関し、伝導帯または価電子帯の量子井戸における離散的エネルギを有するキャリアの密度を実効的に増加させることのできる新規な量子井戸構造を含む活性層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 伝導帯または価電子帯の一方のみに量子井戸を形成する不対量子井戸層と、該不対量子井戸層と近接して配置され、伝導帯および価電子帯に対になった量子井戸を形成する対量子井戸層であって、前記不対量子井戸と対量子井戸とがトンネル結合した対量子井戸層とを含む。 |
| 公开日期 | 1994-05-20 |
| 申请日期 | 1992-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 町田 豊稔. 半導体レーザ. JP1994140713A. 1994-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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