半導体レーザモジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三浦 和則 |
| 发表日期 | 1999-10-29 |
| 专利号 | JP2995521B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザと光ファイバとを同一基板上で結合する半導体レーザモジュールの製造方法に関し、半導体レーザと光ファイバとの位置合わせ精度を向上して光結合効率の高い半導体レーザモジュールを製造する方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に、光ファイバ実装用の溝31を形成し、同時に、光ファイバ実装用の溝31の中心線の延長上にあたる基板1上に1個または2個の溝マーカ41を形成し、一方、半導体レーザ12の裏面に、活性層15を挟んで両側に等間隔に2個のマーカ13を形成し、基板1の表面を鏡面にして半導体レーザ12の裏面に形成された2個のマーカ13を基板1の表面で反射させて観測し、2個のマーカ13の中心と1個の溝マーカ41または2個の溝マーカ41の中心とを一致させて半導体レーザ12と光ファイバ16とを位置合わせするようにする。 |
| 公开日期 | 1999-12-27 |
| 申请日期 | 1992-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三浦 和則. 半導体レーザモジュールの製造方法. JP2995521B2. 1999-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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