半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 光義; 池上 嘉一 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204602A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの放熱性能を高め、光出力特性の向上を図る。 【構成】 レーザ素子1の端面に形成する反射又は無反射の膜を活性層の光発光端面2を含む局部領域に成膜する。これにより、この成膜4をレーザ素子1の端面の全領域に亙って形成する場合に比べ、放熱性能が改善され、半導体レーザの出力パワーがアップし、ビーム出力駆動の信頼性が高まる。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1992-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 光義,池上 嘉一. 半導体レーザ. JP1994204602A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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