半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之; 井上 泰明; 水口 公秀 |
| 发表日期 | 2000-12-22 |
| 专利号 | JP3143248B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 複数の各半導体レーザ素子の出力光の制御を独立して行え、その組み立て作業が容易である半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 マルチビームレーザチップ1の各半導体レーザ素子2にその一部を欠損させた状態で電極3を形成し、ヒートシンク4にはフォトダイオード5を形成しておき((a))、この電極3の欠損部にフォトダイオード5が対向するように、マルチビームレーザチップ1をヒートシンク4上にボンディングする((b))。 |
| 公开日期 | 2001-03-07 |
| 申请日期 | 1993-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71168]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之,井上 泰明,水口 公秀. 半導体レーザ装置. JP3143248B2. 2000-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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