半導体レーザ装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田遠 伸好; 広瀬 孝昭 |
| 发表日期 | 1994-09-02 |
| 专利号 | JP1994244495A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置の高周波特性向上と製造工程の省力化。 【構成】 半導体レーザ素子1を取付けたサブマウント2をチップキャリア3に融着すると共に、上面に電極パターン15を形成した支持ブロック6をチップキャリア3に融着する。半導体レーザ素子1の一方の電極と接続しているサブマウント2上面の電極11と支持ブロック上面の電極パターン15をボンディングワイヤ12で接続する。この電極パターン15は1mm以下の小幅に形成されると共に、Agロウによりリボン導体13が剥離可能に接着される。 |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71170]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田遠 伸好,広瀬 孝昭. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP1994244495A. 1994-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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