半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田遠 伸好; 加藤 隆志; 新開 次郎 |
| 发表日期 | 1994-09-02 |
| 专利号 | JP1994244494A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高周波特性が優れ、かつアナログ伝送における歪成分を低減した半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ素子1を取付けたサブマウント2をチップキャリア3に融着する。チップキャリア3に融着される支持ブロック6上面の電極パターン30とサブマウント2上面の電極11とが略同一の高さに設けられ、両電極がボンディングワイヤ12でつながれている。電極パターン30は略「L」字形状にパターン化されていると共に、その角部には2つの135°の挟角部が形成され、「L」字状の一端側にボンディングワイヤ12が、他端側にリボン導体13が融着されている。コモン電極29は半導体レーザ素子3の一方の電極と同じ高さに設けられていて、両電極はボンディングワイヤ10でつながれている。コモン電極29が形成されるチップキャリア3の第3段平面28は長方形であって、その一側縁から立上る垂直面34に半導体レーザ素子1から放射されるレーザ光が当って、半導体レーザ素子1とは違う方向に反射される。 |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71171]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田遠 伸好,加藤 隆志,新開 次郎. 半導体レーザ装置. JP1994244494A. 1994-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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