半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 内田 憲治; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252509A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】出力一定のもとでレーザビームの焦点でのビーム形状を変化することができる半導体レーザ素子を提供すること。 【構成】半導体結晶により構成され、通電により光利得を発生し、光を導波する機能を有するストライプ状の構造と、このストライプ状の構造に光を反射するための反射体と、主電極12と、レーザ光出射端面の近傍領域の電流注入を独立に制御するための端部電極13とを有し、ストライプの構造は、端部電極13の通電時に、近傍領域の導波光スポットが近傍領域以外の領域の導波光スポットに比べ大となるように構成された半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,内田 憲治,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1994252509A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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