半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石井 光男 |
| 发表日期 | 1994-09-16 |
| 专利号 | JP1994260723A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 歩留り及び信頼性の高い半導体レーザ装置を得る。 【構成】 サブマウント5の上に設けられたレーザチップ11の下面にはメサ溝2が設けられている。レーザチップ11の下面近傍には発光点4が備えられている。メサ溝2は発光点4の両側に形成されており、レーザチップ11の下面のうち、メサ溝2が挟む部分、及びメサ溝2の内発光点4の近くにある部分にメタライズ層31が設けられている。メタライズ層31とサブマウント5とは半田7によって接着されている。 【効果】 ダイボンド時に半田7はメサ溝2に流れ込み、レーザチップ11の側壁に付着することなく、レーザチップ11の接合をショートさせることはない。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1993-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71173]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 光男. 半導体レーザ装置. JP1994260723A. 1994-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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