光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 尚孝 |
| 发表日期 | 1994-11-08 |
| 专利号 | JP1994314657A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】選択成長マスクとして従来使用されたSiO2 やSiNX を用いると、成長温度が低い場合やMOVPEにおいては成長圧力が高い場合やマスク面積が広い場合には、その上に多結晶が堆積する。多結晶の堆積のない選択成長可能条件を更に広げる。 【構成】従来のマスクを用いると膜には未結合手が存在し、これがマスク上に飛来した3族、5族原料の吸着種と結合し、多結晶堆積の一因となる。MBE成長によるMoSe2 からなるマスク21を用いると、膜表面には未結合手が存在しないため膜上の3族5族原料の吸着種との結合が起こらず選択性が向上することが期待される。MOVPEでは、より高い成長圧力でも選択成長が可能となり、300Torr以上で選択成長を行うことにより従来よりもマスク幅によるMQW構造の波長変化が広がる。選択成長で形成したDFBレーザと半導体光変調器を集積した素子においては損失が低減し変調帯域が拡大する。 |
| 公开日期 | 1994-11-08 |
| 申请日期 | 1993-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71175]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝. 光半導体素子の製造方法. JP1994314657A. 1994-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。