半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 中尾 正史; 近藤 康洋; 岡安 雅信; 永沼 充 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994283803A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ上の結晶成長を利用して一括成長で光結合特性のよい、DFBレーザと変調器の集積化された半導体発光装置を実現すること。 【構成】 半導体基板1に形成された幅1〜10μmの2つの溝5の間にできる幅1〜3μm、高さ1〜3μmのリッジ4上に形成された半導体多層膜の発光特性が変化することを利用して、キャビティ方向に2種類の発光特性の異なった結晶層を同時に成長することによって、活性層に歪多重量子井戸構造をもつDFBレーザよりなる発光部とDFBレーザの発振波長よりも50〜80nm短波長側に吸収端をもつ多重量子井戸構造よりなる光変調器部を同一工程で形成する。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1993-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中尾 正史,近藤 康洋,岡安 雅信,等. 半導体発光装置. JP1994283803A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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