半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 哲朗; 山田 博仁; 鳥飼 俊敬 |
| 发表日期 | 1994-11-04 |
| 专利号 | JP1994310806A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低歪のアナログ変調用の半導体レーザを歩留りよく得る。 【構成】 本発明の半導体レーザは共振器方向の一部にのみ回折格子を形成した半導体レーザにおいて、回折格子1を形成する領域が前面側(光出射面側)にかたより、かつ回折格子領域が端面から離れていることを特徴とする。このようにすれば、キャリアおよび電界強度分布の不均一が改善され、電流-光出力特性の線形性が向上しアナログ変調歪が低減されるとともに、両端面の回折格子の位相のランダム性の影響がなくなるため素子特性のばらつきが低減され歩留りが改善される。したがって、低歪アナログ変調用の半導体レーザを歩留り良く得ることができる。 |
| 公开日期 | 1994-11-04 |
| 申请日期 | 1993-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71178]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗,山田 博仁,鳥飼 俊敬. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1994310806A. 1994-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。