半導体レーザモジュール
文献类型:专利
| 作者 | 古川 博之; 國兼 達郎; 渡邉 哲夫; 宮田 定之; 酒井 喜充 |
| 发表日期 | 1994-11-04 |
| 专利号 | JP1994308358A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュール |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザアレイをパッケージに封止し、パッケージの外側に取着する光ファイバアレイと半導体レーザアレイとが光結合されてなる半導体レーザモジュールに関し、基台に搭載時の光結合損失増加、及び周囲温度の変化に起因する光結合損失増加が、抑制されることを目的とする。 【構成】 半導体レーザアレイ1とレンズアレイ2とを金属ブロック50に搭載してLDアセンブリを構成し、LDアセンブリを側壁11に窓15を有するパッケージ10に収容封止し、側壁11の外側に取着する光ファイバアレイ20とLDアセンブリとが光結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、パッケージ10の側壁11の内側面に金属ブロック50がレーザー溶接されてなる構成とする。 |
| 公开日期 | 1994-11-04 |
| 申请日期 | 1993-04-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71179] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川 博之,國兼 達郎,渡邉 哲夫,等. 半導体レーザモジュール. JP1994308358A. 1994-11-04. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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