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半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者古川 博之; 國兼 達郎; 渡邉 哲夫; 宮田 定之; 酒井 喜充
发表日期1994-11-04
专利号JP1994308358A
著作权人FUJITSU LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【目的】 半導体レーザアレイをパッケージに封止し、パッケージの外側に取着する光ファイバアレイと半導体レーザアレイとが光結合されてなる半導体レーザモジュールに関し、基台に搭載時の光結合損失増加、及び周囲温度の変化に起因する光結合損失増加が、抑制されることを目的とする。 【構成】 半導体レーザアレイ1とレンズアレイ2とを金属ブロック50に搭載してLDアセンブリを構成し、LDアセンブリを側壁11に窓15を有するパッケージ10に収容封止し、側壁11の外側に取着する光ファイバアレイ20とLDアセンブリとが光結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、パッケージ10の側壁11の内側面に金属ブロック50がレーザー溶接されてなる構成とする。
公开日期1994-11-04
申请日期1993-04-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71179]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJITSU LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
古川 博之,國兼 達郎,渡邉 哲夫,等. 半導体レーザモジュール. JP1994308358A. 1994-11-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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