半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 洋治 |
| 发表日期 | 1994-11-25 |
| 专利号 | JP1994326399A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 コンタクト層16を有するダブルヘテロ接合型の半導体レーザー素子において、金属配線18がダブルチャネル17を横断する領域のみ残してダブルチャネル17を形成した後に前記領域のコンタクト層16下部のInP結晶をエッチングして、コンタクト層ブリッジ20を形成する。そしてこのコンタクト層ブリッジ20を用いて、ダブルチャネル17中央から外部のワイヤボンド用の電極パッドまで電極を配線する。 【効果】 ダブルチャネルの外でボンディング可能となるので、ボンディング時の歪が活性層14に直接作用して悪影響を与えることはない。さらに、金属配線形成に一般的な真空蒸着法を用いた場合であっても、蒸着した金属のダブルチャネル17部分の段差による断線を防止することができる。 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 申请日期 | 1993-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 洋治. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1994326399A. 1994-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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