半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石井 光男 |
| 发表日期 | 2002-12-06 |
| 专利号 | JP3377553B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 特に低熱特性に必要なJ/D組立の際、ダイボンドした半田がチップサイドに露出したジャンクションに接触する事を防止する。 【構成】 サブマウント基体10の両面にバリヤ層7a,7bを形成し、さらにバリヤ層7a上に部分的にAuSn共晶半田層8を形成し、バリヤ層7b上に全面にAuSn共晶半田層9を設ける。 【効果】 チップサイドにはみ出す半田量を十分抑える事ができ、ジャンクションへの半田ショートによる初期不良の低減及び環境試験に於いて半田による影響を殆ど受けることのない信頼性の高いレーザ素子が得られる。 |
| 公开日期 | 2003-02-17 |
| 申请日期 | 1993-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71183]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 光男. 半導体レーザ装置. JP3377553B2. 2002-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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