半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中山 典一 |
| 发表日期 | 1995-01-10 |
| 专利号 | JP1995007220A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnSe系等のII-VI族化合物半導体レーザにおいて、放熱特性を改善し、長時間動作を可能とする。またその製造の簡易化をはかって生産性の向上をはかる。 【構成】 活性層がII-VI族化合物半導体材料より成る半導体レーザの電流狭窄層を、熱伝導率が0.01cal/cm·s·℃以上の金属酸化物により構成する。 |
| 公开日期 | 1995-01-10 |
| 申请日期 | 1993-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71189]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 典一. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995007220A. 1995-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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