半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岩瀬 正幸; 池上 嘉一; 並木 周 |
| 发表日期 | 1995-01-17 |
| 专利号 | JP1995015086A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバとの光学的結合作業性を向上させる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板上に平面状の活性層3を形成した半導体レーザ素子において、活性層3のある平面内に位置決めのための基準面21a、21bを設ける。 |
| 公开日期 | 1995-01-17 |
| 申请日期 | 1993-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71191]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩瀬 正幸,池上 嘉一,並木 周. 半導体レーザ素子. JP1995015086A. 1995-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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