半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小寺 基之; 西山 景夫; 野沢 卓司; 香川 仁志 |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | JP1995066497A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 裏面側に照射されるレーザ光線10が、パッケージ30の裏面30bで反射してレーザダイオード5に戻るのを防ぐとともに、APC駆動のためのフォトダイオード16でのレーザ光線の検出能力を向上する。 【構成】 ヒートシンク3aの上面のうち裏面に近い側に、フォトダイオード16を設ける。また、レーザダイオード5から照射されたレーザ光線10を反射する裏面30bに凹面鏡31を設ける。そして、凹面鏡31の角度及び曲率は、レーザ光線10が凹面鏡31で反射された反射光32がフォトダイオード16に効率よく集光するように設定する。 【効果】 裏面側に照射されるレーザ光線10の反射光によるレーザ光線9の劣化を防ぐことができる。また、フォトダイオード16に反射光32を集光することでレーザダイオード5の出力状態の検出が容易になる。 |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1993-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71196]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小寺 基之,西山 景夫,野沢 卓司,等. 半導体レーザ装置. JP1995066497A. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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