半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 樫原 稔 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086684A |
| 著作权人 | 株式会社島津製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子と半導体レーザ用ヒートシンクの接合過程において不良率をきわめて低減でき、しかもこれらを複雑な制御を要せずより簡単に接合できる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ用ヒートシンク10の凹部10aに形成したハンダ層10c溶融した状態で、この凹部10aに半導体レーザ素子20の電極20dを押し込むと、凹部10aの横幅が電極20dの横幅より広く、また半導体レーザ素子20の横幅より狭く形成されているため、半導体レーザ素子20は接合面10dに当接し電極20dのみがハンダ層10cに押し込まれる。これによりハンダ層10cはほとんど盛り上がらないため、半導体レーザ素子20の発光部20aを遮ったり、活性層20bと短絡するという弊害がなくなり、これらの接合過程での不良率が低下する。また、半導体レーザ素子20の電極20dのみがハンダ層10cに押し込まれるため、ハンダ層10cを十分厚く形成でき、半導体レーザ素子20と半導体レーザ用ヒートシンク10をより堅固に接合できる。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社島津製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樫原 稔. 半導体レーザ装置. JP1995086684A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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