光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 香川 仁志; 山下 光二 |
| 发表日期 | 1995-04-11 |
| 专利号 | JP1995099368A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 外部環境の影響,特に湿度の影響によっても性能が劣化せず、外観検査が不要であり、かつ安価な光半導体装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置50の気密封止用キャップ部40の窓部材1をSiにより構成し、該窓部材1とキャップ部本体3との接着材として、Siと共晶合金を形成する半田材を用いた。 |
| 公开日期 | 1995-04-11 |
| 申请日期 | 1993-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71201]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 香川 仁志,山下 光二. 光半導体装置. JP1995099368A. 1995-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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