半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 木村 裕治; 渥美 欣也; 上野 祥樹 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3240794B2 |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】円形により近い断面のビームを得る半導体レーザを提供すること。 【構成】図1は発光層面法線に90°の角度を持たせた配置の直交ビームレーザの断面図で、半導体レーザ素子2個11、12が90°の角度をなすチップ台の銅製ヒートシンク2上に接着されている。一つの素子からは長楕円形状のビーム断面となるが、お互いに90°異なったビーム分布を持つ個々のレーザ素子からのビームが重なり合って、4回対称の断面を有するビームとなる。特に重なり合った中央部分では、より円形に近い形状で強度が倍になった状態となり、光軸の差は大きくて数ミリ程度のオーダーであるので、数cm以上離れたビーム実用領域では、この光軸差は無視できる。より多角形の柱形状、多角形の孔を形成するヒートシンクに半導体レーザ素子を配置させることで、より円形に近い多回転対称のレーザビームが得られる。 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1993-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,木村 裕治,渥美 欣也,等. 半導体レーザ. JP3240794B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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