半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 浩; 上條 健 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249555A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 熱歪みによる影響を低減し、プロセスの制御性を良くし、歩留まりの高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 異種半導体基板を直接接着させることにより作製される半導体装置において、異種半導体基板の内の一方のSi基板1上に形成される化合物半導体の多結晶層からなる歪吸収層2と、この歪吸収層2上に接合されるもう一方の半導体基板であるInP層5/GaInAsP層4が積層された化合物半導体多層基板6とを設ける。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71219]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 浩,上條 健. 半導体装置及びその製造方法. JP1995249555A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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