半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔 |
发表日期 | 1995-10-13 |
专利号 | JP1995263788A |
著作权人 | 株式会社島津製作所 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子内の内部応力が少ない、長寿命高信頼性を有する高出力半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 ヒートシンク上にバリア層を形成するととともに、低融点ハンダ材にて半導体レーザ素子をヒートシンクのバリア層上に接合する。 |
公开日期 | 1995-10-13 |
申请日期 | 1994-03-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71220] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社島津製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザ装置. JP1995263788A. 1995-10-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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