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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔
发表日期1995-10-13
专利号JP1995263788A
著作权人株式会社島津製作所
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【目的】 半導体レーザ素子内の内部応力が少ない、長寿命高信頼性を有する高出力半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 ヒートシンク上にバリア層を形成するととともに、低融点ハンダ材にて半導体レーザ素子をヒートシンクのバリア層上に接合する。
公开日期1995-10-13
申请日期1994-03-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71220]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社島津製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザ装置. JP1995263788A. 1995-10-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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