半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔 |
发表日期 | 1995-10-20 |
专利号 | JP1995273395A |
著作权人 | SHIMADZU CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子をステム等に接合する際の不良品発生を低減する。 【構成】 半導体レーザ素子端面をステム等の支持体端面より突出させることでハンダ接合の際にレーザ端面に余分なハンダが回り込まないようにする。 |
公开日期 | 1995-10-20 |
申请日期 | 1994-03-28 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71221] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SHIMADZU CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザ装置. JP1995273395A. 1995-10-20. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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