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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者井戸 豊; 久光 守; 重定 頼和; 小林 裕; 樫原 稔
发表日期1995-10-20
专利号JP1995273395A
著作权人SHIMADZU CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【目的】 半導体レーザ素子をステム等に接合する際の不良品発生を低減する。 【構成】 半導体レーザ素子端面をステム等の支持体端面より突出させることでハンダ接合の際にレーザ端面に余分なハンダが回り込まないようにする。
公开日期1995-10-20
申请日期1994-03-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71221]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHIMADZU CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
井戸 豊,久光 守,重定 頼和,等. 半導体レーザ装置. JP1995273395A. 1995-10-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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