半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 鬼頭 泰浩; 古谷 章; 須藤 久男; 倉又 朗人; 堀野 和彦 |
| 发表日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1995321412A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体素子をインジウムはんだを用いて実装基板上に接続するII-VI族化合物半導体レーザ等の半導体装置の構造に関し、インジウム半田の可塑性を維持して昇温時に熱膨張率の差により基板から半導体素子の活性層に応力歪みが及ぼされのを防止する。 【構成】 半導体素子1をインジウムはんだ7を用いて実装基板2上に接続してなる半導体装置において、はんだ接続に用いられる半導体素子1の基板接続用電極6が、最下層に、該半導体素子1にオーミックに接続するコンタクト金属層3を有し最上層にインジウムはんだ7と融合し易い金属によるボンディング金属層5を有し、且つコンタクト金属層3とボンディング金属層5との間にはんだ着け温度において該コンタクト金属及びボンディング金属の何れとも融合反応を起こさないバリア金属層4が挿入された構造を有する。 |
| 公开日期 | 1995-12-08 |
| 申请日期 | 1994-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鬼頭 泰浩,古谷 章,須藤 久男,等. 半導体装置. JP1995321412A. 1995-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。