半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松川 健一; 後藤 荘謙; 茨木 晃; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | JP1995326815A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造歩留まりのよい半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 傾斜した面1aを有する半導体基板1と、この傾斜した面1a上に形成された非平坦な半導体層5と、この非平坦な半導体層5上に形成され、表面に形状変化部9を有するコンタクト層8と、このコンタクト層8上に形成された電極10と、を備え、形状変化部領域9上及び発振領域上を除いた電極10にワイヤーボンディングした。 |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 申请日期 | 1994-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71226]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松川 健一,後藤 荘謙,茨木 晃,等. 半導体レーザ素子. JP1995326815A. 1995-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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