半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小川 勝; 八尾 和幸; 市川 英樹; 増井 克栄 |
| 发表日期 | 1996-01-19 |
| 专利号 | JP1996018151A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 ワイヤボンディング作業時、キャピラリの接近方向を変える等の操作が不要で、しかも受光素子の出力を大きくできるとともに、装置全体の小型化を図れる半導体レーザ装置を実現する。 【構成】 半導体レーザチップ5から出射されるモニター光を、受光素子6のキャリア拡散面と直交する方向の側面部で受光してなることを特徴とする。また、半導体レーザチップ5と受光素子6とを同一実装面上に搭載し、且つ受光素子6のキャリア拡散層の深さを10μm以上とすることを特徴とする。また、受光素子32のキャリア拡散層33側を実装面にダイボンドしてなることを特徴とする。この構造において、受光素子のキャリア拡散層の深さを、少なくとも半導体レーザチップ31の実装面から発光点までの距離以上に設けてなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-01-19 |
| 申请日期 | 1994-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71227]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 勝,八尾 和幸,市川 英樹,等. 半導体レーザ装置. JP1996018151A. 1996-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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