半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 吉田 一臣; 山下 光二 |
发表日期 | 1996-05-07 |
专利号 | JP1996116127A |
著作权人 | 三菱電機株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【目的】 前方光出力をモニタ電流として使用することにより、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ装置を得ることを目的とする【構成】 上方に対して45度の傾斜角を有する傾斜部1aが設けられ、その傾斜面上にレーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子としてPD2がマウントされている。ステム1の傾斜部1aの傾斜面側の近くにはヒートシンク4がマウントされ、ヒートシンク4の上にはLD5がマウントされている。 【効果】 他方の端面からのレーザ光をモニタ電流として用いる場合に、温度変化により一方の端面と他方の端面とで出力特性が異なることに起因して、精度の高い光出力制御ができないといった状態に陥ることを回避でき、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。 |
公开日期 | 1996-05-07 |
申请日期 | 1994-10-14 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71238] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 一臣,山下 光二. 半導体レーザ装置. JP1996116127A. 1996-05-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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