中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者吉田 一臣; 山下 光二
发表日期1996-05-07
专利号JP1996116127A
著作权人三菱電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【目的】 前方光出力をモニタ電流として使用することにより、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ装置を得ることを目的とする【構成】 上方に対して45度の傾斜角を有する傾斜部1aが設けられ、その傾斜面上にレーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子としてPD2がマウントされている。ステム1の傾斜部1aの傾斜面側の近くにはヒートシンク4がマウントされ、ヒートシンク4の上にはLD5がマウントされている。 【効果】 他方の端面からのレーザ光をモニタ電流として用いる場合に、温度変化により一方の端面と他方の端面とで出力特性が異なることに起因して、精度の高い光出力制御ができないといった状態に陥ることを回避でき、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
公开日期1996-05-07
申请日期1994-10-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71238]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田 一臣,山下 光二. 半導体レーザ装置. JP1996116127A. 1996-05-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。