光半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 坪田 孝志 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125267A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ部25および光変調器部37を集積化した光半導体素子41の両部分を光学的に結合しかつ電気的に分離するための電気的分離部39をエッチングにより形成する際に、エッチングダメージ等が素子におよびにくくする。 【構成】 半導体レーザ部25、光変調器部37および電気的分離部39に共通なストライプ状の半導体層(メサ構造33)の、電気的分離部39形成予定部分をウエットエッチングにより狭幅化する。ただし、半導体レーザ部および光変調器部おのおのの前記電気的分離部側の端部から、エッチングダメージなどを考慮した所定距離だけ退避した部分に対してこのエッチングを行なう。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坪田 孝志. 光半導体素子およびその製造方法. JP1996125267A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。