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半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者清水 春仁
发表日期1997-03-11
专利号JP2616469B2
著作权人日本電気株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【目的】 変調周波数が高い場合でもモジュール内で変調信号の反射や損失を低下させることができ、高速化に十分対処することのできる半導体レーザモジュールを得ること。 【構成】 モジュールパッケージ11内の半導体レーザ13を駆動する変調信号19は、光ファイバ15の光軸と直角方向に配置された第2のマイクロストリップ線路34を進行し、この端部からボンディングワイヤ36を経て、光ファイバ15の光軸と平行に配置された第1のマイクロストリップ線路32を伝搬されてレーザ光の変調を行う。第1および第2のマイクロストリップ線路32、34はそれぞれ折れ曲がった部分が存在せず、ボンディングワイヤ36によって接続されているので、マイクロストリップ線路を折り曲げた従来のものと比べて変調信号の反射や損失を防止することができ、高速化を可能にすることができる。
公开日期1997-06-04
申请日期1994-11-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71245]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
清水 春仁. 半導体レーザモジュール. JP2616469B2. 1997-03-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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