半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 浩; 小川 洋; 上條 健 |
| 发表日期 | 1995-08-29 |
| 专利号 | JP1995231145A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 SiO2等の絶縁膜と半導体単結晶とを直接接着することにより、その絶縁膜をpn接合の代わりに電流狭窄層として用い、低いしきい値電流かつ高速変調可能な半導体発光素子およびその製造法を提供する。 【構成】 第1導電型InP基板11上に絶縁膜12を成長させ、別のInP基板上にInGaAs(P)等のエッチストップ層及びInP層13を設け、これらのウエハに表面処理を施した後、表面同志を接触させ、熱処理をすることで接着を行う。この後、別のInP基板、InGaAs(P)エッチストップ層をエッチングにより取り除き、さらにInP層13及び絶縁膜12をストライプ状に除去、その上に、必要な層構造を形成することで、半導体発光素子の製造を行う。 |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 申请日期 | 1994-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 浩,小川 洋,上條 健. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1995231145A. 1995-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。