面発光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 水井 順一; 山越 英男; 石橋 勝; 松田 竜一 |
| 发表日期 | 1996-06-21 |
| 专利号 | JP1996162717A |
| 著作权人 | MITSUBISHI HEAVY IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 レーザの大出力化、レーザ光断面強度分布の均一大型化と縦横長さの同一化、レーザ波面の単一平面化、発散角の低減を満足する半導体レーザを提供する。 【構成】 面発光半導体レーザ素子I,IIを発光面が相対向するように対向配置し、面発光半導体レーザ素子I,IIの発光部となる面発光半導体レーザ素子要素に斜めに光を入射することにより各活性層を通過し、その後ミラー層で折り返して再度活性層を通過して入射角と同一角度で出射し、次の面発光半導体レーザ素子要素に入射し、同様の動作を繰り返すように構成することにより、各面発光半導体素子要素の各活性層を光学的に直列結合したものである。 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 申请日期 | 1994-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71247]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI HEAVY IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水井 順一,山越 英男,石橋 勝,等. 面発光半導体レーザ. JP1996162717A. 1996-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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