光半導体モジュール及びその製造方法
文献类型:专利
作者 | 森 義弘; 中村 真嗣; 松井 康 |
发表日期 | 1995-10-31 |
专利号 | JP1995287149A |
著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体モジュール及びその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 高い光結合率が得られる光半導体モジュールを提供する。 【構成】 半導体レーザ素子101は、発光素子用ベース104の底部に固定されている。発光素子用ベース104の壁部105は、半導体レーザ素子101から出射された光が通過する開口部106を有していると共に、半導体レーザ素子101と反対側に平滑面が形成されている。第1のホルダー110の端面は壁部105の平滑面と摺接可能である。第1のホルダー110の内部には第2のホルダー119が軸方向へ摺動可能に挿入されている。第2のホルダー119の内部には非球面レンズ107が固定されている。半導体レーザ素子101から出射された光は非球面レンズ107により集光され実装用光ファイバー113の入射部に結合する。発光素子用ベース104、第1のホルダー110及び第2のホルダー119は、半導体レーザ素子101から出射された光の実装用光ファイバー113の入射部における結合効率が最大になるように固定されている。 |
公开日期 | 1995-10-31 |
申请日期 | 1995-01-23 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71250] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 義弘,中村 真嗣,松井 康. 光半導体モジュール及びその製造方法. JP1995287149A. 1995-10-31. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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