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光半導体モジュール及びその製造方法

文献类型:专利

作者森 義弘; 中村 真嗣; 松井 康
发表日期1995-10-31
专利号JP1995287149A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体モジュール及びその製造方法
英文摘要【目的】 高い光結合率が得られる光半導体モジュールを提供する。 【構成】 半導体レーザ素子101は、発光素子用ベース104の底部に固定されている。発光素子用ベース104の壁部105は、半導体レーザ素子101から出射された光が通過する開口部106を有していると共に、半導体レーザ素子101と反対側に平滑面が形成されている。第1のホルダー110の端面は壁部105の平滑面と摺接可能である。第1のホルダー110の内部には第2のホルダー119が軸方向へ摺動可能に挿入されている。第2のホルダー119の内部には非球面レンズ107が固定されている。半導体レーザ素子101から出射された光は非球面レンズ107により集光され実装用光ファイバー113の入射部に結合する。発光素子用ベース104、第1のホルダー110及び第2のホルダー119は、半導体レーザ素子101から出射された光の実装用光ファイバー113の入射部における結合効率が最大になるように固定されている。
公开日期1995-10-31
申请日期1995-01-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71250]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
森 義弘,中村 真嗣,松井 康. 光半導体モジュール及びその製造方法. JP1995287149A. 1995-10-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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