半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 関 洋二; 小田 修 |
| 发表日期 | 1996-10-18 |
| 专利号 | JP1996274373A |
| 著作权人 | JAPAN ENERGY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、厚み10原子層以下の、第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜(A)が成長され、pnヘテロ接合が形成され、さらに第2の導電型を示し、かつ、第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜(B)が成長されている半導体発光素子、及びこの酸化物半導体の膜(A)を、吸着されたときに基板の半導体と反応せずかつ安定な酸化物を生成可能な金属を基板上に化学吸着した後、酸化することによって形成するようにした半導体発光素子の製造方法。 【効果】基板と膜との間に働く弾性歪みによる界面での不対結合の発生が防止され、界面準位密度の低いpnヘテロ接合を得ることができ、より発光効率の高い半導体発光素子を製造することが可能となる。 |
| 公开日期 | 1996-10-18 |
| 申请日期 | 1995-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71259]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | JAPAN ENERGY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関 洋二,小田 修. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1996274373A. 1996-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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