半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥野 八重; 近藤 正彦; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 1996-10-18 |
| 专利号 | JP1996274026A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】Siと化合物半導体の一体化を、結晶性を損なうことなく容易に実施する方法を提供する。 【構成】Si半導体基板Aと化合物半導体基板Bを直接接着するに際し、基板Aまたは基板Bの少なくとも一方の表面に多結晶Si層xを蒸着後に直接接着を行う、もしくは基板Aまたは基板Bの少なくとも一方の表面にアモルファスSi層yを蒸着後に直接接着およびアモルファスSi層yの多結晶Siへの変質を行う。上記多結晶Si層xおよびアモルファスSi層yには、基板Bの構成元素またはこれと同族の元素を少なくとも一種類含む。 |
| 公开日期 | 1996-10-18 |
| 申请日期 | 1995-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥野 八重,近藤 正彦,魚見 和久. 半導体装置およびその製造方法. JP1996274026A. 1996-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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