半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 哲朗 |
| 发表日期 | 1996-10-22 |
| 专利号 | JP1996279651A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 アナログ変調歪特性を改善し、同時に副モード抑圧比を改善し、雑音による信号の劣化を抑制した半導体レーザとその製造方法を提供する。 【構成】 半導体レーザの共振器を構成する素子の前後面のうちの前面に低反射率膜5、後面に高反射率膜6をそれぞれ有し、かつ共振器全長にわたって回折格子7を形成するとともに、この回折格子7はその結合係数を後面側の領域7aよりも前面側の領域7bで大きくなるように構成する。例えば、回折格子の高さを、後面側よりも前面側で高くする。回折格子7を共振器全長にわたって形成しているために、複合共振器による副モードが抑制される。また、前面側の回折格子7aの結合係数を後面側よりも大きくすることで、共振器方向の電界強度分布を平坦化でき、アナログ変調歪が低減できる。 |
| 公开日期 | 1996-10-22 |
| 申请日期 | 1995-04-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗. 半導体レーザとその製造方法. JP1996279651A. 1996-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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