半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 井島 新一; 永井 秀男; 中西 秀行; 吉川 昭男 |
发表日期 | 1996-11-01 |
专利号 | JP1996288594A |
著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【目的】 半導体レーザチップや受光素子を湿度や水分等の外部環境から保護でき、長期信頼性に優れた半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 受光素子4が作り込まれた放熱板3を保護板9上に配置し、さらに放熱板3の上面に半導体レーザチップ1を配置した。半導体レーザチップ1や信号光を受光のための受光素子4と外部リード7とを配線した後、枠体6の上端縁部分にアクリル樹脂等よりなる紫外線硬化型の第1の接着剤11を少量塗布し、周縁部分が階段構造をしたホログラム光学素子などからなる光学部品2を載置し、位置合わせをしてから、紫外線を照射して硬化させて接着、固定する。次いで光学部品2から枠体6の上端縁面にかけて紫外線硬化型の第2の接着剤12を付け、紫外線を照射して硬化させることによって、光学部品2とパッケージ10とを気密に接着封止して中空部13をその内部に形成した。 |
公开日期 | 1996-11-01 |
申请日期 | 1995-04-17 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71262] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 井島 新一,永井 秀男,中西 秀行,等. 半導体レーザ装置. JP1996288594A. 1996-11-01. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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