半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐川 みすず; 平本 清久; 豊中 隆司; 篠田 和典; 魚見 和久; 青木 雅博; 佐藤 宏 |
| 发表日期 | 2003-09-05 |
| 专利号 | JP3468612B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、光通信システム、光情報システムにおける高出力半導体レーザ及び低コスト半導体レーザなどストライプ幅を共振器方向に変化させる構造を有する半導体レーザにおいて、モード変換に伴うモード損失が生じず且つ横モードが安定な半導体レーザを提供することにある。 【構成】 共振器方向に沿って幅が指数関数に従って変化しているストライプ、または共振器方向に沿って幅が指数関数に従って変化し且つ端面近傍では幅が一定であるストライプにより構成されている。 【効果】 本発明により、ストライプ幅を共振器方向に変化させる構造を有する半導体レーザにおいて、モード変換に伴うモード損失が生じず且つ横モードが安定な半導体レーザを実現した。このため、高出力半導体レーザにおいて高信頼化を実現した。さらに、パッシブアライメントが可能な半導体レーザを容易な方法で実現し歩留まり向上、低コスト化を実現した。 |
| 公开日期 | 2003-11-17 |
| 申请日期 | 1995-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71271]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,平本 清久,豊中 隆司,等. 半導体レーザ装置. JP3468612B2. 2003-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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