半導体レーザユニット
文献类型：专利
| 作者 | 高森 晃; 小河 晴樹; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064470A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザユニット |
| 英文摘要 | 【目的】 熱抵抗の低い半導体レーザユニットを提供する。 【構成】 シリコン基板101と半導体レーザチップ102の間のメッキ層108の膜厚を10μm以上にする。さらにメッキ層108の面積をレーザチップ102のボンディング面積よりも大きくする。これにより、レーザチップ102からの発熱を効率よくシリコン基板101に伝えることができる。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71274]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 晃,小河 晴樹,大仲 清司. 半導体レーザユニット. JP1997064470A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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