半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 廣中 美佐夫 |
| 发表日期 | 2003-08-15 |
| 专利号 | JP3461632B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ヒートシンクをその下面に備えた半導体レーザ装置において、ヒートシンクと半導体レーザチップとの熱膨張率の差に起因して、発光領域にかかる内部ストレスを低減し、半導体レーザの寿命及び歩留を向上する。 【解決手段】 レーザ下面電極を、キャップ層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極層7aと、該オーミック電極層7aの表面に形成され、ハンダ層8と合金化しない高融点金属よりなる非合金化電極層7bと、該非合金化電極層7bの表面の,発光領域5の長手方向の中心線の真下から左右に所定距離以上離れた領域に形成され、ハンダ層8と合金化する合金化電極層7cとの3層により形成し、上記非合金化電極層7bと、これに接触しているハンダ層8とは合金化せず、上記合金化電極7cとハンダ層8とが合金化して接着するようにしたものである。 |
| 公开日期 | 2003-10-27 |
| 申请日期 | 1995-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71276]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣中 美佐夫. 半導体レーザ装置. JP3461632B2. 2003-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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