半導体レーザ送受信素子
文献类型：专利
| 作者 | 須崎 泰正; 東盛 裕一 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083078A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ送受信素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 受光層の過飽和吸収現象を発生させず発振動作を可能とする。 【解決手段】 レーザ活性層11を有する発光領域14と、受光層12を有する受光領域13を光学的に結合する。受光層11の光吸収端波長は、レーザ活性層12の発光波長より長波長に設定される。受光領域13と発光領域14にはそれぞれ個別に電極15,16が配置され、その電極間を抵抗体17を介して接続する。この抵抗体17は、受光領域13および発光領域14を形成する半導体上に集積化するか、外部抵抗体が用いられる。受光領域13の電極15は、外部電気回路への接続点となる。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1995-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71279]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須崎 泰正,東盛 裕一. 半導体レーザ送受信素子. JP1997083078A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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