半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 荻野 慎次; 坂田 昌良; 進藤 洋一; 守屋 裕史; 山口 賢; 芳賀 一弘 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092931A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】周囲温度の変化やレーザダイオードチップの発熱による温度変化による発光点位置の変化を小さく抑える。 【解決手段】レーザダイオードチップ1はモニター用フォトダイオードチップ2に取り付けられ、さらにこのモニター用フォトダイオードチップ2はリブ構造のリードフレーム3に取り付け、透明のエポキシ樹脂で樹脂封止され、リードフレーム3の端はリング6の溝に圧着される。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1995-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻野 慎次,坂田 昌良,進藤 洋一,等. 半導体レーザ装置. JP1997092931A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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