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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者永井 精一
发表日期1997-07-22
专利号JP1997191154A
著作权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 パターン切れによるLDチップ用電極のメタル切れの発生を防止することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 平坦な一主面11を有する基体部1と、該基体部1の主面11の一部の領域上に形成された、該主面11に対し45°傾斜したミラー面5を有するミラー部2とを有する基板3と、上記ミラー面5に向けレーザ光9を出射するよう配置された半導体レーザチップ4と、基体部1の一主面11のミラー部2以外の領域上に形成され、その一部の面上に半導体レーザチップ4が載置されたLDチップ用電極6と、基体部1の一主面11のミラー部2以外の領域に配設された、レーザ光9の反射光を検出するための信号再生用受光素子7とを備えたものである。
公开日期1997-07-22
申请日期1996-01-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71297]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
永井 精一. 半導体レーザ装置. JP1997191154A. 1997-07-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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